Sanyo Semiconductors

Технические параметры Структура: npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс): 900 В  Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс): 800 В  Максимально допустимый ток к ( Iк макс.): 3 А Статич..